Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR12060CTR

DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR12060CTR

MBR12060CTR Hakkında

MBR12060CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 60V 120A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketinde sunulan bu bileşen, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahiptir. Ortalama doğrultulmuş akım 120A DC, ileri gerilim düşüşü 750mV @ 60A'dir. Ters akım sızıntısı 20V'ta 3mA ile sınırlıdır. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu modül, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Şasi montajı için tasarlanan bileşen, yüksek akım işleme kapasitesi ile bilgisayar PSU'ları ve ağır yük uygulamalarında önemli bir rol oynamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 60 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR12060CTR PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok