Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR12035CT

DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR12035CT

MBR12035CT Hakkında

MBR12035CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamalarında kullanılır. 120A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu komponent, 35V maksimum ters gerilim değerinde çalışır. Ortak katot konfigürasyonunda iki diyot içeren modül, 650mV ön gerilim düşümünü 120A akımda gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı bir tasarıma sahiptir. Fast recovery özelliği sayesinde 500ns'nin altında anahtarlama hızı gösterir. Güç kaynakları, invertörler, kompaktör uygulamaları ve endüstriyel doğrultma devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 120 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR12035CT PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok