Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR12030CTR
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR12030CTR
MBR12030CTR Hakkında
MBR12030CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot modülü olup, 30V maksimum ters gerilim ve 120A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Common Anode konfigürasyonunda tasarlanan bu Twin Tower paketli bileşen, 650 mV maksimum ileri gerilim düşüşü (60A'de) sunmaktadır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns, >200mA) ile düşük güç kaybı ve yüksek hız gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu diyot modülü, endüstriyel güç kaynakları, LED sürücüler, motorlar ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılmaktadır. Şasi montaj türü ile kompakt tasarım sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 60 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok