Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR12030CT

DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR12030CT

MBR12030CT Hakkında

MBR12030CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 30V/120A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmış bu bileşen, 1 pair common cathode konfigürasyonunda iki diyot içerir. 120A ortalama doğrultma akımı ve 650mV maksimum forward voltaj (@60A) ile güç uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. Fast recovery özelliği (≤500ns) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve diğer DC doğrultma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 60 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR12030CT PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok