Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR12020CTR
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR12020
MBR12020CTR Hakkında
MBR12020CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis montajına uygun olarak tasarlanmıştır. Ürün, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda ortak anot diyot dizisi olarak çalışır. 20V maksimum DC reverse voltajında 120A ortalama doğrultulmuş akımı (DC) destekler. Schottky tipi diyot yapısı sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri gösterir; Fast Recovery karakteristiği ≤500ns'dir. Forward voltajı 120A akımda maksimum 650mV olup, reverse leakage akımı 20V'da 3mA ile sınırlıdır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu modül, güç düzeltme, invertör, kaynak ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım kapasitesi ve düşük forward voltajı ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 120 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok