Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR12020CT
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR12020CT
MBR12020CT Hakkında
MBR12020CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Schottky doğrultma diyot modülüdür. Twin Tower kasa ile chassis mount tasarımına sahip bu komponent, ortalama 120A DC doğrultma akımı ve maksimum 20V DC ters voltaj (Vr) kapasitesiyle çalışır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda yerleştirilmiş iki adet diyottan oluşur. Fast recovery özelliği ile 500ns veya daha hızlı devrede geçiş süresi sağlar. 120A akımda maksimum 650mV forward voltage (Vf) ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek akım uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücülerinde doğrultma ve geri dönüş koruması sağlayan ideal seçim olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 20 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 120 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok