Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR120200CT
DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR120200CT
MBR120200CT Hakkında
MBR120200CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V/60A kapasiteli Schottky doğrultma diyotudur. Twin Tower (çift tower) paketinde sunulan bu bileşen, 1 pair common cathode konfigürasyonuna sahip olup, ortalama 60A doğrultulmuş akımda çalışır. Fast recovery karakteristiği (≤500ns) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum forward voltage 920mV @ 60A ve 200V reverse voltage özelliğiyle güç kaynakları, şarj cihazları, UPS sistemleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Chassis mount tipi montajla panel ve PCB entegrasyonuna uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 60A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 60 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok