Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MBR120150CTR
DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MBR120150
MBR120150CTR Hakkında
MBR120150CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 150V/60A kapasiteli Schottky diyot dizisidir. Twin Tower paketinde sunulan bileşen, 1 pair common anode konfigürasyonu ile çalışır. Forward voltajı 60A'da 880mV olup, maksimum reverse voltajı 150V'dur. 150V'da reverse leakage akımı 1mA'dır. Fast Recovery özelliği (≤500ns) sayesinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasındadır. Chassis mount tipi montajı ile yüksek akım uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 60A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 60 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok