Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MBR120100CT

DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER

Paket/Kılıf
Twin Tower
Seri / Aile Numarası
MBR120100CT

MBR120100CT Hakkında

MBR120100CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. 100V maksimum ters gerilim ve 120A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 1 Pair Common Anode konfigürasyonuna sahip olan bileşen, 60A akım değerinde 840mV forward voltage karakteristiğine ve 500ns'den küçük recovery time'a sahiptir. Düşük forward voltage düşüşü sayesinde ısı kaybı minimize edilir. Endüstriyel, telekomünikasyon ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 20 V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Twin Tower
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 60 A

Kaynaklar

Datasheet

MBR120100CT PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok