Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
MBR1050HC0G
DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MBR1050HC0G
MBR1050HC0G Hakkında
MBR1050HC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 50V/10A kapasiteli genel amaçlı diyot doğrultucusudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu fast recovery diyot, ortalama 10A doğrultulmuş akım ve maksimum 800mV forward gerilim değerleri ile karakterizedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen MBR1050HC0G, ön panel beslemesi, AC/DC güç kaynakları, şarj devreler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipine sahip olan bileşen, standart diyot topolojileri ve yüksek güç yoğunluklu devrelerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800 mV @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok