Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MAX2601ESA
RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC-EP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MAX2601
MAX2601ESA Hakkında
MAX2601ESA, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde RF transistördür. 1GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 15V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1.2A maksimum kolektör akımı ile orta güç RF amplifikasyon devrelerinde yer alır. 836MHz'de 3.3dB noise figure ile düşük gürültü RF ön yükselteçleri tasarımında tercih edilir. Surface mount 8-SOIC-EP paketinde sunulan bileşen, 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilmektedir. Harita uydu iletişimi, hücresel base station alıcıları ve genel RF sinyal işleme uygulamalarında kullanım bulur. Bileşen güncellenmiş versiyonlar ile değiştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 3V |
| Frequency - Transition | 1GHz |
| Gain | 11.6dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.4W |
| Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok