Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MAPR-000912-500S00

RF TRANS NPN 80V

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAPR-000912-500S00

MAPR-000912-500S00 Hakkında

MAPR-000912-500S00, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 80V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 52.5A maksimum collector akımı ile yüksek güç RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500W güç seviyesinde çalışabilen bu transistör, Chassis Mount konfigürasyonunda sunulmaktadır. 9.44dB ile 9.77dB arasında değişen kazanç karakteristiğine sahiptir. Maksimum 200°C junction sıcaklığında çalışan bileşen, RF haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF güç amplifikasyon sistemlerinde uygulanır. Active status ile üretim halinde devam etmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 52.5A
Gain 9.44dB ~ 9.77dB
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500W
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok