Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-001214-650L00

TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-001214-650L00

MAGX-001214-650L00 Hakkında

MAGX-001214-650L00, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen bir GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) transistörüdür. Bu RF transistörü 1.2-1.4 GHz frekans aralığında 650W güç çıkışı sağlamak için tasarlanmıştır. 65V nominal voltaj ve 27A akım derecelendirmesi ile yüksek frekanslı güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 19.5dB kazanç değeri ile bu komponent radyo frekans sistemleri, hava ve uzay uygulamaları, radar sistemleri ve haberleşme altyapılarında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve kompakt tasarım sağlar. Komponent halen üretim dışı durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 500 mA
Current Rating (Amps) 27A
Frequency 1.2GHz ~ 1.4GHz
Gain 19.5dB
Part Status Obsolete
Power - Output 500W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok