Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-001214-125L00

TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-001214-125L00

MAGX-001214-125L00 Hakkında

MAGX-001214-125L00, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT transistördür. 1.2-1.4 GHz frekans aralığında çalışan bu RF transistörü, 125W çıkış gücü sağlamakta ve 18.4dB kazanç sunar. 65V derecelendirilmiş voltaj ve 4.8A akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. HEMT teknolojisi sayesinde düşük gürültü ve yüksek verimlilik karakteristikleri vardır. Haberleşma sistemleri, radar, uydu haberleşme ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponent kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Current Rating (Amps) 4.8A
Frequency 1.2GHz ~ 1.4GHz
Gain 18.4dB
Part Status Obsolete
Power - Output 125W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok