Transistörler - FET, MOSFET - RF
MAGX-001090-700L0S
TRANSISTOR RF 700W GAN
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MAGX-001090-700L0S
MAGX-001090-700L0S Hakkında
MAGX-001090-700L0S, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen yüksek güçlü RF transistörüdür. GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan bu HEMT (High Electron Mobility Transistor) bileşeni, 700W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 1.03-1.09 GHz frekans aralığında çalışan transistör, 20.5 dB kazanç sağlar. 65V anma voltajında ve maksimum 31A akım kapasitesiyle, RF güç amplifikasyon uygulamalarında, radar sistemlerinde, endüstriyel ısıtma ve tıbbi cihazlar gibi yüksek frekans güç uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 50V voltaj ve 500mA akımda çalışmaktadır. Bileşen güncellenmiş versiyonlarla değiştirilmiş olup artık üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 500 mA |
| Current Rating (Amps) | 31A |
| Frequency | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 20.5dB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 700W |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok