Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-001090-600L0S

TRANSISTOR RF 600W GAN

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-001090-600L0S

MAGX-001090-600L0S Hakkında

MAGX-001090-600L0S, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT (High Electron Mobility Transistor) RF transistörüdür. 600W çıkış gücü kapasitesi ile tasarlanan bu bileşen, 1.03GHz ile 1.09GHz frekans aralığında çalışır. 65V nominal voltaj ve 80A akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. 21.4dB kazanç değeri ile güçlü sinyal işleme sağlar. Radyo frekans amplifikatörleri, broadcast sistemleri, endüstriyel ısıtma ve military haberleşme uygulamalarında kullanılır. Mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 600 mA
Current Rating (Amps) 80A
Frequency 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain 21.4dB
Part Status Obsolete
Power - Output 550W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok