Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-000912-650L0S

TRANSISTOR RF 650W GAN

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-000912-650L0S

MAGX-000912-650L0S Hakkında

MAGX-000912-650L0S, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen 650W çıkış gücüne sahip GaN tabanlı HEMT transistördür. 960MHz ile 1.215GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu RF transistörü, 65V nominal gerilim desteği sunmaktadır. 20.5dB kazanç ve 33A akım derecelendirmesi ile güçlü RF uygulamalarına uygun özellikleri barındırır. Mobil iletişim altyapısı, uydu haberleşme, radar ve endüstriyel RF güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, yüksek verimlilik ve sıcaklık stabilite gerektiren sistemlerde tercih edilmektedir. Tasarım referansında detaylı elektrik karakteristikleri ve uygulama devre şemaları yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 500 mA
Current Rating (Amps) 33A
Frequency 960MHz ~ 1.215GHz
Gain 20.5dB
Part Status Obsolete
Power - Output 650W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok