Transistörler - FET, MOSFET - RF
MAGX-000912-650L0S
TRANSISTOR RF 650W GAN
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MAGX-000912-650L0S
MAGX-000912-650L0S Hakkında
MAGX-000912-650L0S, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen 650W çıkış gücüne sahip GaN tabanlı HEMT transistördür. 960MHz ile 1.215GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu RF transistörü, 65V nominal gerilim desteği sunmaktadır. 20.5dB kazanç ve 33A akım derecelendirmesi ile güçlü RF uygulamalarına uygun özellikleri barındırır. Mobil iletişim altyapısı, uydu haberleşme, radar ve endüstriyel RF güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, yüksek verimlilik ve sıcaklık stabilite gerektiren sistemlerde tercih edilmektedir. Tasarım referansında detaylı elektrik karakteristikleri ve uygulama devre şemaları yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 500 mA |
| Current Rating (Amps) | 33A |
| Frequency | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 20.5dB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 650W |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok