Transistörler - FET, MOSFET - RF
MAGX-000912-500L0S
TRANSISTOR GAN 960-1215MHZ 500W
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MAGX-000912-500L0S
MAGX-000912-500L0S Hakkında
MAGX-000912-500L0S, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT (High Electron Mobility Transistor) RF transistörüdür. 960 MHz ile 1.22 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 500W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 27.3A akım derecelendirmesi ve 19.8dB kazanç değeri ile sunduğu özellikler, yüksek frekanslı güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Hücresel iletişim sistemleri, radyo frekans sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 50V test gerilimi ile denetlenen bileşen, harita kodu LM358DR2G | STM32F103C8T6 → STM32F103 Emin değilsen MPN'i aynen yaz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 400 mA |
| Current Rating (Amps) | 27.3A |
| Frequency | 960MHz ~ 1.22GHz |
| Gain | 19.8dB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 500W |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok