Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-000912-125L00

TRANSISTOR GAN 125W 960-1215MHZ

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-000912-125L00

MAGX-000912-125L00 Hakkında

MACOM Technology Solutions tarafından üretilen MAGX-000912-125L00, GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT transistöre dayalı RF güç transistörüdür. 960 MHz ile 1.215 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 125W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 65V nominal çalışma voltajında 4A akım kapasitesi ile belirlenen transistör, 18.9dB kazanç sağlamaktadır. RF amplifikasyon uygulamaları, mobil haberleşme sistemleri, drahtlose iletişim sistemleri ve endüstriyel RF kontrol uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 50V voltaj ve 100mA akım parametreleri belirtilmiştir. Bileşen üretim aşaması itibariyle Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Current Rating (Amps) 4A
Frequency 960MHz ~ 1.215GHz
Gain 18.9dB
Part Status Obsolete
Power - Output 125W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok