Transistörler - FET, MOSFET - RF

MAGX-000035-01000P

TRANSISTOR RF 10W GAN

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
MAGX-000035-01000P

MAGX-000035-01000P Hakkında

MACOM Technology Solutions tarafından üretilen MAGX-000035-01000P, GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT (High Electron Mobility Transistor) tipinde RF transistördür. 10W çıkış gücü ve 3.5GHz çalışma frekansı ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 17dB kazanç (gain) sağlayan bu transistör, 65V orijinal çalışma voltajı ve 500mA akım kapasitesi ile orta güç RF devrelerinde yer alır. Uydu iletişimi, radyo frekans amplifikasyonu ve kablosuz iletişim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Üretim durdurulmuş (obsolete) olmasına rağmen, yedek parça ve eski cihazların tamiratında önemli bir referanstır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 30 mA
Current Rating (Amps) 500mA
Frequency 3.5GHz
Gain 17dB
Part Status Obsolete
Power - Output 10W
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok