Transistörler - JFET
LS830 SOIC 8L
ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO
- Üretici
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- LS830
LS830 SOIC 8L Hakkında
LS830 SOIC 8L, Linear Integrated Systems tarafından üretilen 2 adet N-Channel JFET transistördür. Maksimum 40V Drain-Source gerilimi ve 500mW güç harcaması ile tasarlanmıştır. Ultra düşük sızıntı akımı ve düşük drift karakteristikleri sayesinde hassas analog uygulamalarda, enstrümantasyon ve gözlem devrelerinde kullanılır. 3pF giriş kapasitanslı (10V'da) tasarımı, yüksek frekans uygulamalarında iyi performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüzey montajlı SOIC-8 paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok