Transistörler - JFET

LS5912C SOIC 8L

WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
LS5912C

LS5912C SOIC 8L Hakkında

LS5912C, Linear Integrated Systems tarafından üretilen monolitik yapıda 2 N-Channel JFET transistördür. Geniş bant ve yüksek kazanç özelliklerine sahip bu bileşen, SOIC 8L yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5pF (10V'da) giriş kapasitansı ve 25V breakdown gerilimi ile karakterize edilen cihaz, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 500mW güç tüketimi sağlar. Düşük gürültü özelliği ve geniş bant genişliği sayesinde, RF uygulamaları, ön kademeler, düşük gürültü amplifikatörleri ve analogmetreler gibi sinyal işleme uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
FET Type 2 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package 8-SOIC
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok