Transistörler - JFET

LS5912 SOIC 8L-B

WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
LS5912

LS5912 SOIC 8L-B Hakkında

LS5912, Linear Integrated Systems tarafından üretilen dual N-channel JFET transistördür. Geniş bant ve yüksek kazanç özelliklerine sahip monolitik yapıda tasarlanmıştır. 5pF maksimum input kapasitansı (Ciss) ile düşük giriş empedansı sunar. 25V breakdown voltajı (V(BR)GSS) ile güvenli çalışma aralığı belirler. Surface mount SOIC-8 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle ön amplifikatör, RF devreler, ses işleme uygulamaları ve analog sinyal işlemede kullanılır. Aktif ürün olarak tedarik edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
FET Type 2 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package 8-SOIC
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok