Transistörler - JFET

LS5912 DIE

WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
LS5912

LS5912 DIE Hakkında

LS5912 DIE, Linear Integrated Systems, Inc. tarafından üretilen 2 adet N-Channel JFET transistörden oluşan monolitik bir bileşendir. Geniş bant ve yüksek kazanç özelliklerine sahip olan bu bileşen, 5pF @ 10V giriş kapasitansına (Ciss) ve 25V GSS kırılma voltajına (V(BR)GSS) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu DIE tipi bileşen, 500mW maksimum güç harcaması ile özellikle RF amplifikatörler, geniş bant sinyal işleme uygulamaları ve düşük gürültülü preamplifier tasarımlarında kullanılır. Surface Mount pakete uygun olan bu transistör, yüksek frekans uygulamalarında çalışabilir. Die formundaki bileşen, integre devre tasarımında direkt olarak ince kalıplama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
FET Type 2 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package Die
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok