Transistörler - JFET

LS5911 SOIC 8L-B

WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
LS5911

LS5911 SOIC 8L-B Hakkında

LS5911, Linear Integrated Systems, Inc. tarafından üretilen dual N-Channel JFET transistördür. Wideband ve yüksek kazanç özelliklerine sahip monolitik yapıda tasarlanmıştır. Surface mount SOIC 8-pin paketinde sunulan bu bileşen, 5pF input capacitance değeri ile RF ve analog sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 25V drain-gate breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç derecelendirmesiyle, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil çalışma sağlar. Düşük gürültü özellikleriyle preamplifier, buffer ve MUX devreleri gibi uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
FET Type 2 N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package 8-SOIC
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok