Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

LS3550SA DIE

HIGHER CURRENT, SINGLE NPN TRANS

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
LS3550SA

LS3550SA DIE Hakkında

LS3550SA DIE, Linear Integrated Systems, Inc. tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 10 mA maksimum kolektör akımı ve 600 MHz transition frekansı ile çalışan yüksek akımlı tek transistör olarak tasarlanmıştır. 150 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 45 V maksimum Collector-Emitter kırılma gerilimi özelliklerini taşır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Die formunda sunulan bu transistör, RF amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. Surface mount uyumluluğu sayesinde modern elektronik tasarımlarda entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 200pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 600MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok