Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
LPT16ED
RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE
- Üretici
- Skyworks Solutions, Inc.
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- LPT16ED
LPT16ED Hakkında
LPT16ED, Skyworks Solutions tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 16GHz transition frequency ile yüksek frekanslı sinyal işleme ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Die format paketlemesi ile mikrodalga ve RF entegre devreler içerisinde gömülü olarak uygulanır. 4V maksimum collector-emitter breakdown voltajı, 80mA maksimum collector akımı ve 250mW maksimum güç dissipasyonu ile sinyal amplifikasyonu, rf filtreler ve matching circuit uygulamalarında çalışır. 50 @ 20mA, 2V DC current gain ile stabil amplifikasyon karakteristiği sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, haberleşme, radar ve wireless uygulamalarında RF frontend devrelerinin kritik bileşenlerinden biridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 2V |
| Frequency - Transition | 16GHz |
| Gain | 5.2dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok