Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
LN100LA-G
MOSFET 2N-CH 1200V
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 6-VFLGA
- Seri / Aile Numarası
- LN100LA
LN100LA-G Hakkında
LN100LA-G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V Drain-Source geriliminde çalışan N-Channel Cascoded MOSFET transistördür. Surface mount 6-VFLGA (3x3mm) paketinde sunulan bu bileşen, 3000Ω on-state direncine ve 50pF input kapasitansına sahiptir. -25°C ile 125°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, 350mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Vgs(th) eşik gerilimi 1.6V @ 10µA, 2.8V kapı geriliminde ise Rds(on) değeri 3000Ω'dur. Yüksek gerilim uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç kontrolü uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. Parça güncel olmayan (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Cascoded) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VFLGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3000Ohm @ 2mA, 2.8V |
| Supplier Device Package | 6-LFGA (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok