Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
LL5819-J0 L0
DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LL5819
LL5819-J0 L0 Hakkında
LL5819-J0 L0, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen Surface Mount Schottky diyottur. 40V ters gerilim kapasitesi ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanmıştır. DO-213AB (MELF) paketinde sunulan bu bileşen, hızlı recovery özelliği (≤500ns) sayesinde yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, anahtarlamalı regülatörler ve RF devrelerinde kullanılmaktadır. 600mV forward voltage @ 1A ile verimli doğrultma sağlar. -65°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Schottky diyotlar düşük forward voltage düşüşü nedeniyle güç yönetimi ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 40 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 125°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok