Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KST5551MTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
KST5551

KST5551MTF Hakkında

KST5551MTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi small signal bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 600mA maksimum kolektör akımı ve 160V VCE(BR)O diyelectric dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri için uygundur. 350mW maksimum güç dağıtım kapasitesi, 80 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V'de) ve 200mV saturasyon voltajı (5mA taban, 50mA kolektör akımında) belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, genel sinyal işleme, anahtarlama devreleri, darbe amplifikasyonu ve düşük frekanslı RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok