Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

KST10MTF

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
KST10

KST10MTF Hakkında

KST10MTF, Rochester Electronics tarafından üretilen RF small signal bipolar junction transistördür. NPN tipi bu transistör, 650MHz transition frequency ile VHF ve UHF frekans uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 25V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 350mW güç sınırlaması ile orta seviye RF uygulamalarında işletilir. Minimum 60 hFE DC current gain değeri ile amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, mobil iletişim cihazları, RF modülleri ve düşük güçlü sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition 650MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok