Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSP8099TF

TRANS NPN 80V 500MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSP8099

KSP8099TF Hakkında

KSP8099TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç kapasitesi ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency özelliği ile ses frekansı ve RF uygulamalarında tercih edilebilir. DC current gain (hFE) 100 minimum değerinde tasarlanmıştır. 300mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. Maksimum 150°C junction temperature ile çalışabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve darbe devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok