Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSH29CTF
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- KSH29CTF
KSH29CTF Hakkında
KSH29CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen Surface Mount NPN tipinde bir güç bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 1A kolektör akımına ve 100V Vce breakdown voltajına sahiptir. 1.56W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanan komponent, 150°C'ye kadar çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 1A, 4V'de minimum 15'tir. 700mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, küçük güç amplifikatörleri ve sinyal işleme devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3MHz transition frequency ile orta hızlı işlemler için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 125mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok