Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSH122TF
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- KSH122TF
KSH122TF Hakkında
KSH122TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington tipi güç transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterizedir. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri, 4A/4V koşullarında ölçülmüştür. 150°C işletme sıcaklığı ve 1.75W maksimum güç derecelemesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce saturation voltajı maksimum 4V'tur (80mA taban akımı, 8A collector akımında). Darlington yapısı nedeniyle düşük taban akımı gereksinimiyle yüksek akım kazancı sağlar. Anahtarlama, PWM kontrol ve röle sürücü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok