Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSH112TM
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- KSH112
KSH112TM Hakkında
KSH112TM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington tipi güç transistörüdür. 2A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.75W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 1000'in minimum DC current gain (hFE) ile yüksek akım amplifikasyonu sağlar. 25MHz transition frequency'si ile anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount TO-252 (DPak) paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150°C junction temperature'da çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, güç anahtarlama, LED sürücüleri ve benzer uygulamalarda değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok