Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSH112GTM

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
KSH112G

KSH112GTM Hakkında

KSH112GTM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güçlü akım amplifikasyonu sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, şase bağlantılı tab tasarımı sayesinde iyileştirilmiş ısı dağılımı imkanı sunar. 1.75W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrolü, röle sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 25MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition 25MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package D-Pak
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok