Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

KSE13007H2SMTU

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
KSE13007

KSE13007H2SMTU Hakkında

KSE13007H2SMTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç bipolar transistörüdür. 8A maksimum kolektör akımı, 80W maksimum güç dağıtımı ve 400V kolektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklılık sağlar. Yüksek akım gerektiren güç uygulamaları, motor sürücüleri ve indüktif yüklerin kontrolünde tercih edilir. Through Hole montajı ile PCB üzerine direkt lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition 4MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 80W
Supplier Device Package TO-220-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok