Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD526YTU
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 80
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- KSD526
KSD526YTU Hakkında
KSD526YTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi power bipolar transistor (BJT) bileşenidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter gerilimi kırılma değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 30W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip olan KSD526YTU, 500mA ve 5V'de minimum 120 hFE akım kazancı sağlar. 8MHz transition frequency ile darbe ve anahtarlama devrelerinde çalışabilir. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması, amplifikatör uygulamaları ve elektronik yükler gibi ortamlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 30µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 30 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok