Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD526Y

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 80

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
KSD526Y

KSD526Y Hakkında

KSD526Y, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç transistörüdür. TO-220-3 paketi ile sağlanan bu komponent, 4A maksimum kolektör akımı ve 80V kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 30W maksimum güç kapasitesi, 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 8MHz transition frekansı ile kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, güç anahtarlamalarında ve amplifikasyon uygulamalarında yer bulur. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve Through Hole montaj tipi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 8MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 30 W
Supplier Device Package TO-220-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok