Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD526O
TRANS NPN 80V 4A TO-220
KSD526O Hakkında
KSD526O, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 80V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 30W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.5V saturasyon gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 8MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Sürücü devreleri, güç yönetimi ve RF amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup stok ve alternatif komponent arayışında bulunmak gerekebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 30µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 30 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok