Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD261GTA

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSD261

KSD261GTA Hakkında

KSD261GTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 20V Vce breakdown voltajı ve 500mA kollektör akımı ile çalışır. 500mW güç limitasyonu ile orta-küçük sinyal uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V'de minimum 200 değerinde ölçülür. Geri kesiş kolektör akımı (ICBO) maksimum 100nA'dir. 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir. Düşük frekans amplifikasyon devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal işleme elektronik tasarımlarında kullanıma uygun bir komponenttir. Through-hole montajı ile klasik PCB uygulamalarına entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok