Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD261GBU
TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
KSD261GBU Hakkında
KSD261GBU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 plastik paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. Maksimum 500mA kollektör akımı ve 20V Vce(br)dss ile genel amaçlı devre tasarımlarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 olup, 100mA ve 1V koşullarında ölçülmüştür. Maksimum 500mW güç tüketimine sahip olan bu komponent, ses amplifikatörleri, düşük frekanslı anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. İleri dokunma kurşun sürümü olması, Through Hole montaj yöntemiyle manuel lehimleme işlemlerinde kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok