Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD261GBU
TRANS NPN 20V 500MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- KSD261
KSD261GBU Hakkında
KSD261GBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket türünde sunulan bu bileşen, 20V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 1V) ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, düşük seviye sinyal işleme, anahtarlama devreleri ve mikrodenetleyici sürücü uygulamalarında yer alır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok