Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD261CGTA

0.5A, 20V, NPN, TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSD261

KSD261CGTA Hakkında

KSD261CGTA, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 500mA collector akımı ve 20V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 1V) ve 400mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 500mW güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, ses amplifikatörleri, güç kontrol devreleri ve dijital anahtarlama tasarımlarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok