Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD261CGBU

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSD261

KSD261CGBU Hakkında

KSD261CGBU, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 20V kolektör-emitter gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışmaktadır. 500mW güç sınırlaması ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Minimum 200 hFE akım kazancı ile işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında kararlı performans sunar. Dip-through montaj ile standart breadboard ve PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar. Ses amplifikatörleri, röle kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok