Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD227GBU
TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
KSD227GBU Hakkında
KSD227GBU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paket formatında sunulmaktadır. 25V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 300mA maksimum kolektör akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sinyal işleme devrelerinde, ses amplifikatörlerinde ve genel amaçlı kontrol devrelerinde yer alır. 400mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile sınırlı termal ortamlarda çalışmaya uygundur. Through-hole montaj türü nedeniyle geleneksel PCB uygulamalarında tercih edilir. Ürün mevcut üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok