Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD2012YTU

TRANS NPN 60V 3A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
KSD2012

KSD2012YTU Hakkında

KSD2012YTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı, 60V kırılma gerilimi ve 25W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sürücü ve anahtarlama uygulamalarında etkin bir şekilde çalışır. 3MHz geçiş frekansı ve 1V saturasyon gerilimi sayesinde orta hızlı switching devrelerinde tercih edilebilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, genel amaçlı anahtarlama ve güç kaynağı uygulamalarında yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power - Max 25 W
Supplier Device Package TO-220F-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok