Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD2012GTU
KSD2012 - NPN EPITAXIAL SILICON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- KSD2012
KSD2012GTU Hakkında
KSD2012GTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistördür. TO-220-3 through-hole paketlemesiyle sunulan bu transistör, 3A maksimum collector akımı ve 25W güç dağıtım kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile elektronik cihazlar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 3MHz transition frequency ve 150 (minimum) DC current gain özellikleriyle orta frekanslı devrelerde çalışmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25 W |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok