Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD2012GTU

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
KSD2012G

KSD2012GTU Hakkında

KSD2012GTU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup 60V kollektör-emitör gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, 25W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilen transistör, 3MHz transition frequency ile orta frekans uygulamarında kullanılabilir. 1V saturation voltajı ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, anahtarlama düzenleyicileri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power - Max 25 W
Supplier Device Package TO-220F-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok