Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSD1616ALBU

TRANS NPN 60V 1A TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSD1616

KSD1616ALBU Hakkında

KSD1616ALBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 60V collector-emitter gerilimi, 1A maksimum collector akımı ve 750mW güç kapasitesine sahip bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300 minimum DC current gain (hFE), 160MHz transition frequency ve 300mV saturation voltage özellikleriyle düşük seviye sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı dijital/analog devrelerde yer alabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bileşen, through-hole montajı destekler. Lütfen dikkat: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 160MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 750 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok